是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-247 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 8.49 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 150 A | 集电极-发射极最大电压: | 600 V |
最大降落时间(tf): | 80 ns | 门极发射器阈值电压最大值: | 6.5 V |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JESD-609代码: | e3 |
最高工作温度: | 150 °C | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 452 W |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FGH75T65SHD-F155 | ONSEMI |
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IGBT,650V,75A 场截止沟槽 |
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FGH75T65SHDT-F155 | ONSEMI |
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IGBT,650V,75A 场截止沟槽 |
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FGH75T65SHDTL4 | ONSEMI |
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IGBT,650V,75A 场截止沟槽 |
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FGH75T65SQD-F155 | ONSEMI |
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650 V、75 A 场截止沟道 IGBT |
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FGH75T65SQDNL4 | ONSEMI |
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IGBT,场截止 IV/4 引线 |
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FGH75T65SQDT | ONSEMI |
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http://115.22.68.60/master/PDF_DATA/ONSEMI/FGH75T65SQDT.PDF |
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FGH75T65SQDT_F155 | ONSEMI |
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http://115.22.68.60/master/PDF_DATA/ONSEMI/FGH75T65SQDT.PDF |
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FGH75T65SQDT-F155 | ONSEMI |
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IGBT, 650 V, 75 A Field Stop Trench |
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FGH75T65SQDTL4 | ONSEMI |
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IGBT,650V,75A,场截止沟槽 |
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FGH75T65UPD | FAIRCHILD |
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650V, 75A Field Stop Trench IGBT |
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