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FGH75N60UFTU

更新时间： 2023-09-03 20:32:31

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		栅双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	435K
描述
IGBT，600V，75A，场截止

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FGH75N60UFTU 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	Factory Lead Time：	4 weeks
风险等级：	1.34	最大集电极电流 (IC)：	150 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	最大降落时间（tf）：	80 ns
门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-609代码：	e3	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	452 W	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

FGH75N60UFTU 数据手册

IGBT - Field Stop

600 V, 75 A

FGH75N60UF

Description

Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor’s field

stop IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS,

welder and PFC applications where low conduction and switching

losses are essential.

www.onsemi.com

CES

Features

600 V

75 A

• High Current Capability

• Low Saturation Voltage: V

• High Input Impedance

• Fast Switching

= 1.9 V (Typ.) @ I = 75 A

CE(sat)

• This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant

Applications

• Solar Inverters, UPS, Welder, PFC

COLLECTOR

(FLANGE)

TO−247−3LD

CASE 340CK

MARKING DIAGRAM

$Y&Z&3&K

FGH75N60

= ON Semiconductor Logo

= Assembly Plant Code

= Numeric Date Code

= Lot Code

FGH75N60UF

= Specific Device Code

ORDERING INFORMATION

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Publication Order Number:

March, 2020 − Rev. 2

FGH75N60UF/D

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FGH75T65SQDT	ONSEMI	获取价格	http://115.22.68.60/master/PDF_DATA/ONSEMI/FGH75T65SQDT.PDF
FGH75T65SQDT_F155	ONSEMI	获取价格	http://115.22.68.60/master/PDF_DATA/ONSEMI/FGH75T65SQDT.PDF
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