是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | Factory Lead Time: | 4 weeks |
风险等级: | 1.34 | 最大集电极电流 (IC): | 150 A |
集电极-发射极最大电压: | 600 V | 最大降落时间(tf): | 80 ns |
门极发射器阈值电压最大值: | 6.5 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-609代码: | e3 | 最高工作温度: | 150 °C |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 452 W | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin (Sn) |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FGH75T65SHD-F155 | ONSEMI |
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IGBT,650V,75A 场截止沟槽 |
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FGH75T65SHDT-F155 | ONSEMI |
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IGBT,650V,75A 场截止沟槽 |
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FGH75T65SHDTL4 | ONSEMI |
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IGBT,650V,75A 场截止沟槽 |
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FGH75T65SQD-F155 | ONSEMI |
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650 V、75 A 场截止沟道 IGBT |
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FGH75T65SQDNL4 | ONSEMI |
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IGBT,场截止 IV/4 引线 |
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FGH75T65SQDT | ONSEMI |
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http://115.22.68.60/master/PDF_DATA/ONSEMI/FGH75T65SQDT.PDF |
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FGH75T65SQDT_F155 | ONSEMI |
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http://115.22.68.60/master/PDF_DATA/ONSEMI/FGH75T65SQDT.PDF |
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FGH75T65SQDT-F155 | ONSEMI |
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IGBT, 650 V, 75 A Field Stop Trench |
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FGH75T65SQDTL4 | ONSEMI |
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IGBT,650V,75A,场截止沟槽 |
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FGH75T65UPD | FAIRCHILD |
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650V, 75A Field Stop Trench IGBT |
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