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FGB3040G2-F085

更新时间： 2024-09-21 11:13:15

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		栅双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	808K
描述
IGBT，400V，26A，1.35V，300mJ，D2PAKEcoSPARK® II，N 沟道点火

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FGB3040G2-F085 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.1	最大集电极电流 (IC)：	41 A
集电极-发射极最大电压：	390 V	最大降落时间（tf）：	15000 ns
门极发射器阈值电压最大值：	2.2 V	门极-发射极最大电压：	12 V
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	175 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大上升时间（tr）：	7000 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

FGB3040G2-F085 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

ECOSPARK⁾2 300 mJ, 400 V,

N-Channel Ignition IGBT

COLLECTOR

(FLANGE)

JEDEC TO−263AB

D PAK−3 (TO−263, 3−LEAD)

FGB3040G2-F085,

FGD3040G2-F085,

FGP3040G2-F085,

FGI3040G2-F085

CASE 418AJ

COLLECTOR

(FLANGE)

JEDEC TO−263AA

DPAK3 (TO−252 3 LD)

Features

CASE 369AS

• SCIS Energy = 300 mJ at T = 25°C

• Logic Level Gate Drive

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

Applications

• Automotive Ignition Coil Driver Circuits

• Coil On Plug Applications

JEDEC TO−220AB

TO−220−3LD

JEDEC TO−262AA

I2PAK (TO−262 3 LD)

CASE 340AT

CASE 418AV

SYMBOL

COLLECTOR

MARKING DIAGRAMS

$Y&Z&3&K

FGB

$Y&Z&3&K

FGD

R₁

GATE

3040G2

R₂

EMITTER

$Y&Z&3&K

FGI

3040G2

$Y&Z&3&K

FGP

3040G2

FGx3040G2 = Specific Device Code (x = B/D/P/I)

= onsemi Logo

= Assembly Plant Code

= 3−Digit Date Code

= 2−Digits Lot Run Traceability Code

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Publication Order Number:

July, 2022 − Rev. 4

FGI3040G2−F085/D

12 3 4 5 6 7...13

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与FGB3040G2-F085相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FGB3040G2-F085C	ONSEMI	获取价格	IGBT，400V，26A，1.35V，300mJ，D2PAKEcoSPARK® II，N
FGB3056-F085	ONSEMI	获取价格	IGBT，EcoSPARK® 300mJ，560V，N 沟道点火
FGB30N6S2	FAIRCHILD	获取价格	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT
FGB30N6S2	ROCHESTER	获取价格	45A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3
FGB30N6S2D	FAIRCHILD	获取价格	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode
FGB30N6S2DT	FAIRCHILD	获取价格	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode
FGB30N6S2T	ROCHESTER	获取价格	45A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3
FGB30N6S2T	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC,
FGB3236	FAIRCHILD	获取价格	FGB3236_F085 / FGI3236_F085 EcoSPARKTM 320mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBT
FGB3236-F085	ONSEMI	获取价格	IGBT，360V，27A，1.32V，320mJ，EcoSPARK® II，N 沟道点火