是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | D2PAK | 包装说明: | D2PAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.68 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 75 A | 集电极-发射极最大电压: | 600 V |
配置: | SINGLE | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | COMMERCIAL | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 153 ns | 标称接通时间 (ton): | 32 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FGB40T65SP | ONSEMI |
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Field Stop Trench IGBT | |
FGB40T65SP_F085 | ONSEMI |
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Field Stop Trench IGBT | |
FGB40T65SPD | ONSEMI |
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Field Stop Trench IGBT | |
FGB40T65SPD-F085 | ONSEMI |
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IGBT,650V,40A,场截止沟槽 | |
FGB5065G2-F085 | ONSEMI |
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EcoSPARK®2 HV-HE IGBT500 mJ, 650 V, N-Channel | |
FGB5N60UNDF | FAIRCHILD |
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600V, 5A Short Circuit Rated IGBT | |
FGB5N60UNDF | ONSEMI |
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IGBT,600V,5A,短路额定 | |
FGB7N60UNDF | FAIRCHILD |
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600V, 7A Short Circuit Rated IGBT | |
FGB7N60UNDF | ONSEMI |
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IGBT,600V,7A,短路额定 | |
FGBS3040E1-F085 | ONSEMI |
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集成式智能点火线圈驱动器 |