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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | PLASTIC, D2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.67 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 45 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 163 ns | 标称接通时间 (ton)： | 28 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FGB30N6S2D | FAIRCHILD |
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600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode |
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| FGB30N6S2DT | FAIRCHILD |
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600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode |
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| FGB30N6S2T | ROCHESTER |
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45A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3 |
|
| FGB30N6S2T | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC, |
|
| FGB3236 | FAIRCHILD |
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FGB3236_F085 / FGI3236_F085 EcoSPARKTM 320mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBT |
|
| FGB3236-F085 | ONSEMI |
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IGBT，360V，27A，1.32V，320mJ，EcoSPARK® II，N 沟道点火 |
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| FGB3236-F085C | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT, 360V, 27A, 1.32V, 320mJ, EcoSPARK®, N-C |
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| FGB3245G2-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，450V，23A，1.3V，320mJ，EcoSPARK® II，N 沟道点火 |
|
| FGB3440G2-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，400V，25A，1.30V，335mJ，EcoSPARK® II，N 沟道点火 |
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| FGB40N60SM | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V, 40A Field Stop IGBT |
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