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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.68 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 75 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 153 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 32 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FGB40N6S2_NL | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE |
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| FGB40N6S2L99Z | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB |
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| FGB40N6S2S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB |
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| FGB40N6S2T | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, D2PAK-3 |
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| FGB40N6S2T | ROCHESTER |
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75A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB, D2PAK-3 |
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| FGB40T65SP | ONSEMI |
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Field Stop Trench IGBT |
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| FGB40T65SP_F085 | ONSEMI |
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Field Stop Trench IGBT |
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| FGB40T65SPD | ONSEMI |
获取价格 |
Field Stop Trench IGBT |
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| FGB40T65SPD-F085 | ONSEMI |
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IGBT，650V，40A，场截止沟槽 |
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| FGB5065G2-F085 | ONSEMI |
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EcoSPARK®2 HV-HE IGBT500 mJ, 650 V, N-Channel |
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