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FGB3236-F085

更新时间： 2024-11-11 11:12:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 汽车点火栅双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 514K
描述
IGBT，360V，27A，1.32V，320mJ，EcoSPARK® II，N 沟道点火

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FGB3236-F085 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：1.11外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：44 A集电极-发射极最大电压：350 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最大降落时间（tf）：15000 ns
门极发射器阈值电压最大值：2.2 V门极-发射极最大电压：12 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：187 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：7000 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：7040 ns
标称接通时间 (ton)：2350 nsBase Number Matches：1

FGB3236-F085 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
EcoSPARKꢀ Ignition IGBT  
20 mJ, 360 V, N−Channel Ignition IGBT  
FGB3236-F085,  
FGI3236-F085  
2
D PAK−3  
I2PAK (TO−262 3 LD)  
CASE 418AJ  
CASE 418AV  
Features  
2
• Industry Standard D PAK Package  
MARKING DIAGRAM  
• SCIS Energy = 330 mJ at T = 25°C  
J
1 Gate  
2 Collector  
3 Emitter  
• Logic Level Gate Drive  
AYWW  
XXX  
XXXXXG  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• RoHS Compliant  
4 Collector  
Applications  
A
Y
WW  
XXXX  
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Device Code  
= Pb−Free Package  
• Automotive Ignition Coil Driver Circuits  
• Coil On Plug Applications  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Collector (Flange)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
BV  
Collector to Emitter Breakdown Voltage  
C
360  
V
CER  
(I = 1 mA)  
$Y&Z&3&K  
FGI  
3236  
BV  
Emitter to Collector Voltage − Reverse  
24  
320  
160  
44  
V
mJ  
mJ  
A
ECS  
Battery Condition (I = 10 mA)  
C
E
Self Clamping Inductive Switching Energy  
SCIS25  
(I  
SCIS  
= 14.7 A, L = 3.0 mHy, T = 25°C)  
J
Gate  
Emitter  
= onsemi Logo  
= Assembly Plant Code  
= Numeric Date Code  
= Lot Code  
E
Self Clamping Inductive Switching Energy  
(I = 10.4 A, L = 3.0 mHy, T = 150°C)  
SCIS150  
SCIS  
J
$Y  
&Z  
&3  
&K  
I
Collector Current Continuous  
at V = 4.0 V, T = 25°C  
C25  
GE  
C
I
Collector Current Continuous  
at V = 4.0 V, T = 110°C  
27  
A
C110  
FGI3236 = Specific Device Code  
GE  
C
V
Gate to Emitter Voltage Continuous  
10  
187  
V
W
GEM  
P
Power Dissipation Total, at T = 25°C  
D
C
SYMBOL  
Power Dissipation Derating, for T > 25°C  
1.25  
W/°C  
°C  
C
COLLECTOR  
T
J
Operating Junction Temperature Range  
Storage Junction Temperature Range  
−40 to +175  
−40 to +175  
300  
T
T
°C  
STG  
R
1
T
L
Max. Lead Temperature for Soldering  
(Leads at 1.6 mm from case for 10 s)  
°C  
GATE  
R
2
Max. Lead Temperature for Soldering  
(Package Body for 10 s)  
260  
4
°C  
PKG  
ESD  
Electrostatic Discharge Voltage  
at 100 pF, 1500 W  
kV  
EMITTER  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 3  
of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
July, 2022 − Rev. 2  
FGB3236−F085/D  
1234567...10

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与FGB3236-F085相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FGB3236-F085C ONSEMI

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 		IGBT, 360V, 27A, 1.32V, 320mJ, EcoSPARK®, N-C
FGB3245G2-F085 ONSEMI

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 		IGBT，450V，23A，1.3V，320mJ，EcoSPARK® II，N 沟道点火
FGB3440G2-F085 ONSEMI

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 		IGBT，400V，25A，1.30V，335mJ，EcoSPARK® II，N 沟道点火
FGB40N60SM FAIRCHILD

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 		600V, 40A Field Stop IGBT
FGB40N60SM ONSEMI

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 		IGBT，600V，40A，场截止
FGB40N6S2 FAIRCHILD

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FGB40N6S2L99Z FAIRCHILD

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FGB40N6S2S62Z FAIRCHILD

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