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FDP047AN08A0

更新时间： 2024-11-24 11:15:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 779K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，75V，80A，4.7mΩ

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FDP047AN08A0 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended包装说明：TO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：1 week
风险等级：7.73Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：475 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.0047 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDP047AN08A0 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DSS  
DS(ON)  
75 V  
4.7 mW  
80 A  
75 V, 80 A, 4.7 mW  
D
S
FDH047AN08A0,  
FDP047AN08A0  
G
Features  
R  
Q  
= 4.0 mW (Typ.), V = 10 V, I = 80 A  
GS D  
DS(ON)  
g(TOT)  
= 92 nC (Typ.), V = 10 V  
GS  
TO−247−3  
CASE 340CK  
Low Miller Charge  
Low Q Body Diode  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant  
G
rr  
D
D
S
TO−220−3  
CASE 340AT  
Applications  
G
Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU  
Battery Protection Circuit  
S
Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies  
MARKING DIAGRAM  
&Z&3&K  
FDX047AN  
08A0  
&Z  
&3  
&K  
= Assembly Plant Code  
= Data Code (Year & Week)  
= Lot  
FDX047AN08A0  
X
= Specific Device Code  
= H/P  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
April, 2023 − Rev. 5  
FDH047AN08A0/D  
1234567...15

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FDP047AN08A0 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDP047AN08A0 FAIRCHILD

类似代替

 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP047AN08A0_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDP047AN08A0-F102 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，75V，80A，4.7mΩ
FDP047N08 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，75V，164A，4.7mΩ
FDP047N08 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 75V, 164A, 4.7m
FDP047N08-F102 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，75V，164A，4.7mΩ
FDP047N10 FAIRCHILD

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FDP047N10 ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，164 A，4.7 mΩ，TO-22
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FDP050AN06A0 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP050AN06A0 ROCHESTER

获取价格

 		18A, 60V, 0.005ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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