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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.7 |
| 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 269 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 96 A | 最大漏极电流 (ID)： | 96 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0085 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 188 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 384 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STP130N10F3 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-channel 100 V, 7.8 mΩ typ., 120 A STripFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP085N10AF102 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 96 A, 8 |
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| FDP085N10A-F102 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 96 A, 8 |
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| FDP085N10A-F102 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，96A，8.5mΩ |
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| FDP08G | ADAM-TECH |
获取价格 |
IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE |
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| FDP08T | ADAM-TECH |
获取价格 |
IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE |
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| FDP-08-T | ADAM-TECH |
获取价格 |
Board Connector, 8 Contact(s), Female, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, Locking, |
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| FDP090N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 100V, 75A, 9mヘ |
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| FDP090N10 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，75A，9mΩ |
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| FDP100N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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| FDP100N10 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V, 75A, 10mΩ |
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