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FDP10N50U PDF预览

FDP10N50U

更新时间： 2024-11-23 21:07:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 483K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN

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FDP10N50U 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
雪崩能效等级（Eas）：320 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：1.05 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDP10N50U 数据手册

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November 2009  
UniFETTM  
FDP10N50U / FDPF10N50UT  
tm  
N-Channel MOSFET  
500V, 8A, 1.05  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
•
RDS(on) = 0.85( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 4A  
Low Gate Charge ( Typ. 18nC)  
Low Crss ( Typ. 9pF)  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are p roduced using Fa irchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
This advan ce technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state r esistance, prov ide sup erior switching per for-  
mance, and wit hstand high energy pulse in the avalanche an d  
commutation mode. T hese devices are well suited for high ef fi-  
cient switching mode power supplies and active power factor  
correction.  
Fast Switching  
100% Avalanche Tested  
Improved dv/dt Capability  
RoHS Compliant  
D
G
TO-220F  
FDPF Series  
TO-220  
FDP Series  
G D S  
G D S  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted*  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FDP10N50U  
FDPF10N50UT  
500  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
±30  
-Continuous (TC = 25oC)  
-Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
8
8*  
ID  
Drain Current  
A
4.8  
32  
4.8*  
32*  
IDM  
Drain Current  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
320  
8
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
12.5  
20  
mJ  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
125  
1.0  
42  
PD  
Power Dissipation  
0.33  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
oC  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
RJC  
RJA  
Parameter  
Units  
FDP10N50U  
1.0  
FDPF10N50UT  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
3.0  
oC/W  
62.5  
62.5  
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP10N50U / FDPF10N50UT Rev. A-1  
1
www.fairchildsemi.com  
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