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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.725 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP120AN15A0 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDP120N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 74A, 12mΩ |
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| FDP120N10 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，74A，12mΩ |
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| FDP12N35 | FAIRCHILD |
获取价格 |
350V N-Channel MOSFET |
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| FDP12N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ |
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| FDP12N50 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 UniFETTM MOSFET 500V，11.5A，650mΩ |
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| FDP12N50_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65Ω |
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| FDP12N50F | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.7ヘ |
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| FDP12N50NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFET II MOSFETï |
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| FDP12N50NZ | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，500 V，11.5 A，520 m |
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