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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDP10N60NZ
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FDP10N60NZ

更新时间： 2024-11-23 12:06:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 494K
描述
N-Channel UniFETTM II MOSFET 600 V, 10 A, 750 m

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FDP10N60NZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.88
雪崩能效等级（Eas）：550 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.75 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：185 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDP10N60NZ 数据手册

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March 2013  
FDP10N60NZ / FDPF10N60NZ  
TM  
N-Channel UniFET II MOSFET  
600 V, 10 A, 750 m  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
•
RDS(on) = 640 m(Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 5 A  
Low Gate Charge (Typ. 23 nC)  
Low Crss (Typ. 10 pF)  
UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s high volt-  
age MOSFET family based on advanced planar stripe and  
DMOS technology. This advanced MOSFET family has the  
smallest on-state resistance among the planar MOSFET, and  
also provides superior switching performance and higher ava-  
lanche energy strength. In addition, internal gate-source ESD  
diode allows UniFETTM II MOSFET to withstand over 2kV HBM  
surge stress. This device family is suitable for switching power  
converter applications such as power factor correction (PFC), flat  
panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.  
100% Avalanche Tested  
Improved dv/dt Capability  
ESD Improved Capability  
RoHS compliant  
Applications  
•
•
•
LCD/ LED/ PDP TV  
Lighting  
Uninterruptible Power Supply  
D
G
G
G
D
S
TO-220  
D
TO-220F  
S
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted*  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FDP10N60NZ FDPF10N60NZ  
Unit  
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
600  
±25  
V
- Continuous (TC = 25oC)  
- Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
10  
6
10*  
6*  
ID  
Drain Current  
Drain Current  
A
IDM  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
40  
40*  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
550  
10  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
18.5  
10  
mJ  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
185  
1.5  
38  
PD  
Power Dissipation  
0.3  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
oC  
*Dran current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Unit  
FDP10N60NZ FDPF10N60NZ  
RJC  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.  
Thermal Resistance, Case to Sink, Typ.  
0.68  
0.5  
3.3  
-
RCS  
RJA  
oC/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.  
62.5  
62.5  
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP10N60NZ / FDPF10N60NZ Rev. C0  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP10N60ZU FAIRCHILD

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