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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220AB, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 429 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0105 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 135 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP10G | ADAM-TECH |
获取价格 |
IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE |
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| FDP10G30 | ADAM-TECH |
获取价格 |
DIP Connector, 10 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Black Insulato |
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| FDP10GGY | ADAM-TECH |
获取价格 |
DIP Connector, 10 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator |
|
| FDP10N50F | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 9A, 0.85Ω |
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| FDP10N50U | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FDP10N60NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFETTM II MOSFET 600 V, 10 A, 750 |
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| FDP10N60NZ | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET，N 沟道，UniFETTMII，600V，10A，750mΩ，T |
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| FDP10N60ZU | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET, FRFET 600V, 9A, 0.8Ω |
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| FDP10T | ADAM-TECH |
获取价格 |
IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE |
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| FDP10T30 | ADAM-TECH |
获取价格 |
DIP Connector, 10 Contact(s), 2 Row(s), Male, IDC Terminal, Plug |
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