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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 364 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A | 最大漏极电流 (ID)： | 9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.85 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP10N50U | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FDP10N60NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFETTM II MOSFET 600 V, 10 A, 750 |
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| FDP10N60NZ | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET，N 沟道，UniFETTMII，600V，10A，750mΩ，T |
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| FDP10N60ZU | FAIRCHILD |
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N-Channel MOSFET, FRFET 600V, 9A, 0.8Ω |
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| FDP10T | ADAM-TECH |
获取价格 |
IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE |
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| FDP10T30 | ADAM-TECH |
获取价格 |
DIP Connector, 10 Contact(s), 2 Row(s), Male, IDC Terminal, Plug |
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| FDP10TGY | ADAM-TECH |
获取价格 |
DIP Connector, 10 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator |
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| FDP11N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FDP120AN15A0 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDP120N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 74A, 12mΩ |
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