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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 4.47 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 167162 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | Transistor | Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical |
| Samacsys Footprint Name： | TO-220-ren2 | Samacsys Released Date： | 2016-04-12 06:51:27 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 309 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 75 A | 最大漏源导通电阻： | 0.009 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 208 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STD18N55M5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh⢠V P |
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| SPA04N80C3 | INFINEON |
功能相似 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| STW11NK100Z | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 1000V - 1.1W - 8.3A TO-247 Zener-Pr |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP100N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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| FDP100N10 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V, 75A, 10mΩ |
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| FDP100N10_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 75A, 10m |
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| FDP10AN06A0 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 75A, 10.5mз |
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| FDP10G | ADAM-TECH |
获取价格 |
IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE |
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| FDP10G30 | ADAM-TECH |
获取价格 |
DIP Connector, 10 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Black Insulato |
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| FDP10GGY | ADAM-TECH |
获取价格 |
DIP Connector, 10 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator |
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| FDP10N50F | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 9A, 0.85Ω |
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| FDP10N50U | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FDP10N60NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFETTM II MOSFET 600 V, 10 A, 750 |
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