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FDP083N15A-F102

更新时间： 2024-11-27 11:11:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
9页 1135K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，117A，8.3mΩ

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FDP083N15A-F102 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：1.5Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：105 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：231 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NOBase Number Matches：1

FDP083N15A-F102 数据手册

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FDP083N15A  
N 沟道 PowerTrench MOSFET  
150 V、 117 A、 8.3 mΩ  
®
特性  
说明  
该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench® 工艺生  
产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开  
关性能而量身定制。  
•
•
•
•
•
•
RDS(on) = 6.85 mΩ ( Typ.)@VGS = 10 V, ID = 75 A  
快速开关速度  
低栅极电荷， QG = 64.5 nC （典型值）  
高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)  
高功率和高电流处理能力  
应用  
•
•
•
•
用于 ATX/ 服务器 / 电信 PSU 的同步整流  
电池保护电路  
符合 RoHS 标准  
电机驱动和不间断电源  
微型光伏逆变器  
D
G
D
S
G
TO-220  
S
MOSFET 最大额定值 TC =25°C 除非另有说明。  
FDP083N15A-F102  
符号  
VDSS  
参数  
单位  
150  
±20  
V
漏极－源极电压  
栅极－源极电压  
- DC  
- AC  
VGSS  
ID  
V
A
(f > 1 Hz)  
±30  
117  
- 连续 （TC=25°C，硅限制）  
- 连续 （TC=100°C，硅限制）  
- 脉冲  
漏极电流  
83  
IDM  
468  
A
mJ  
漏极电流  
（说明 1）  
（说明 2）  
（说明 3）  
EAS  
dv/dt  
542  
单脉冲雪崩能量  
二极管恢复 dv/dt 峰值  
6
V/ns  
W
(TC = 25°C)  
294  
PD  
功耗  
1.96  
-55 至 +175  
300  
W/°C  
°C  
- 降低至 25°C 以上  
TJ, TSTG  
TL  
工作和存储温度范围  
°C  
用于焊接的最大引线温度，距离外壳 1/8"，持续 5 秒  
热性能  
符号  
RθJC  
FDP083N15A-F102  
参数  
结至外壳热阻最大值  
单位  
0.51  
62.5  
°C/W  
RθJA  
结至环境热阻最大值  
Publication Order Number:  
©2011 飞兆半导体公司  
December-2017, Rev. 2  
FDP083N15ACN/D  
1234567...9

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