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FDP050AN06A0

更新时间： 2024-11-22 22:31:47
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关局域网
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11页 557K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDP050AN06A0 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.21
雪崩能效等级（Eas）：470 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.005 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：245 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDP050AN06A0 数据手册

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February 2003  
FDB050AN06A0 / FDP050AN06A0  
®
N-Channel PowerTrench MOSFET  
60V, 80A, 5mΩ  
Features  
Applications  
•
rDS(ON) = 4.3mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A  
•
•
•
•
•
•
•
Motor / Body Load Control  
•
Qg(tot) = 61nC (Typ.), VGS = 10V  
ABS Systems  
• Low Miller Charge  
Powertrain Management  
Injection Systems  
•
•
•
Low QRR Body Diode  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
DC-DC converters and Off-line UPS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 12V and 24V systems  
Formerly developmental type 82575  
D
DRAIN  
(FLANGE)  
GATE  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
G
DRAIN  
SOURCE  
TO-263AB  
FDB SERIES  
(FLANGE)  
TO-220AB  
FDP SERIES  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
60  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
20  
Continuous (TC < 135oC, VGS = 10V)  
Continuous (TA = 25oC, VGS = 10V, RθJA = 43oC/W)  
Pulsed  
80  
A
ID  
18  
Figure 4  
470  
A
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
mJ  
Power dissipation  
Derate above 25oC  
245  
W
PD  
1.63  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-220,TO-263  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220,TO-263 (Note 2)  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in2 copper pad area  
0.61  
62  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
43  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a  
copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems  
certification.  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB050AN06A0 / FDP050AN06A0 Rev. A  
1234567...11

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与FDP050AN06A0相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP050AN06A0_NL ROCHESTER

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 		18A, 60V, 0.005ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
FDP053N08B FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 120A, 5.3
FDP053N08B-F102 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，120A，5.3mΩ
FDP054N10 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 144A, 5.5
FDP054N10 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，144A，5.5mΩ
FDP054N10_12 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 144A, 5.
FDP060AN08A0 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0mз
FDP060AN08A0 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，75V，80A，6mΩ
FDP060AN08A0-F102 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDP070AN06A0 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m

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