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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220AB, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.21 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 470 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 18 A | 最大漏源导通电阻： | 0.005 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP050AN06A0_NL | ROCHESTER |
获取价格 |
18A, 60V, 0.005ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN |
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| FDP053N08B | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 120A, 5.3 |
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| FDP053N08B-F102 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，120A，5.3mΩ |
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| FDP054N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 144A, 5.5 |
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| FDP054N10 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，144A，5.5mΩ |
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| FDP054N10_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 144A, 5. |
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| FDP060AN08A0 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0mз |
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| FDP060AN08A0 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，75V，80A，6mΩ |
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| FDP060AN08A0-F102 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| FDP070AN06A0 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m |
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