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FDP075N15A_F102 PDF预览

FDP075N15A_F102

更新时间： 2024-11-26 20:04:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 686K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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FDP075N15A_F102 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：4.46
Samacsys Description：MOSFET PowerTrench N-Ch 150V 130A TO220其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：588 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：130 A
最大漏极电流 (ID)：120 A最大漏源导通电阻：0.0075 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：333 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：522 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDP075N15A_F102 数据手册

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December 2013  
FDP075N15A / FDB075N15A  
®
N-Channel PowerTrench MOSFET  
150 V, 130 A, 7.5 mΩ  
Features  
Description  
•
•
•
•
RDS(on) = 6.25 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 100 A  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon-  
ductor’s advanced PowerTrench® process that has been tai-  
lored to minimize the on-state resistance while maintaining  
superior switching performance.  
Fast Switching  
Low Gate Charge  
High Performance Trench Technology for Extremely Low  
RDS(on)  
•
•
High Power and Current Handling Capability  
RoHS Compliant  
Applications  
•
•
•
•
Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU  
Battery Protection Circuit  
Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies  
Micro Solar Inverter  
D
D
G
G
G
D
S
D2-PAK  
S
TO-220  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted.  
FDP075N15A_F102  
FDB075N15A  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
Unit  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
150  
±20  
V
V
- Continuous (TC = 25oC)  
- Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
130*  
92  
ID  
Drain Current  
A
IDM  
Drain Current  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 3)  
522  
A
mJ  
EAS  
dv/dt  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
588  
6.0  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
(TC = 25oC)  
- Derate Above 25oC  
333  
PD  
Power Dissipation  
2.22  
-55 to +175  
300  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
oC  
Maximum Lead Temperature for Soldering, 1/8” from Case for 5 Seconds  
* Package limitation current is 120 A.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
FDP075N15A_F102  
FDB075N15A  
Parameter  
Unit  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.  
0.45  
62.5  
40  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Minimum Pad of 2-oz Copper), Max.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient, D2-PAK (1 in2 Pad of 2-oz Copper), Max.  
oC/W  
www.fairchildsemi.com  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP075N15A / FDB075N15A Rev. C4  
1
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FDP075N15A_F102 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPP075N15N3GXKSA1 INFINEON

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