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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 1.3 | 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 588 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 130 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 120 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0075 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 333 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 522 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP083N15A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 105A, 8. |
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| FDP083N15A-F102 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，117A，8.3mΩ |
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| FDP085N10A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 96A, 8.5 |
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| FDP085N10A_F102 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 100V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FDP085N10AF102 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 96 A, 8 |
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| FDP085N10A-F102 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 96 A, 8 |
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| FDP085N10A-F102 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，96A，8.5mΩ |
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| FDP08G | ADAM-TECH |
获取价格 |
IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE |
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| FDP08T | ADAM-TECH |
获取价格 |
IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE |
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| FDP-08-T | ADAM-TECH |
获取价格 |
Board Connector, 8 Contact(s), Female, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, Locking, |
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