5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDP070AN06A0
FDP070AN06A0 PDF预览

FDP070AN06A0

更新时间： 2024-11-22 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
12页 591K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDP070AN06A0 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.32
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：190 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.007 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：175 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDP070AN06A0 数据手册

 浏览型号FDP070AN06A0的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDP070AN06A0的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDP070AN06A0的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDP070AN06A0的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDP070AN06A0的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDP070AN06A0的Datasheet PDF文件第7页 
March 2003  
FDB070AN06A0 / FDP070AN06A0  
®
N-Channel PowerTrench MOSFET  
60V, 80A, 7mΩ  
Features  
Applications  
•
rDS(ON) = 6.1mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A  
•
•
•
•
•
•
•
Motor / Body Load Control  
•
Qg(tot) = 51nC (Typ.), VGS = 10V  
ABS Systems  
• Low Miller Charge  
Powertrain Management  
Injection Systems  
•
•
•
Low QRR Body Diode  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
DC-DC converters and Off-line UPS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 12V and 24V systems  
Formerly developmental type 82567  
D
DRAIN  
(FLANGE)  
GATE  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
G
DRAIN  
SOURCE  
TO-263AB  
FDB SERIES  
(FLANGE)  
TO-220AB  
FDP SERIES  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
60  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
20  
Continuous (TC < 97oC, VGS = 10V)  
Continuous (TA = 25oC, VGS = 10V, RθJA = 43oC/W)  
Pulsed  
80  
A
ID  
15  
Figure 4  
190  
A
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
mJ  
Power dissipation  
Derate above 25oC  
175  
W
PD  
1.17  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-220,TO-263  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220,TO-263 (Note 2)  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in2 copper pad area  
0.86  
62  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
43  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a  
copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems  
certification.  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB070AN06A0 / FDP070AN06A0 Rev. B  
1234567...12

中文翻译

下载PDF

与FDP070AN06A0相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP075N15A FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 130A, 7.
FDP075N15A_F102 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
FDP075N15A-F102 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，130A，7.5mΩ
FDP083N15A FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 105A, 8.
FDP083N15A-F102 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，117A，8.3mΩ
FDP085N10A FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 96A, 8.5
FDP085N10A_F102 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 100V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FDP085N10AF102 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 96 A, 8
FDP085N10A-F102 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 96 A, 8
FDP085N10A-F102 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，96A，8.5mΩ

与FDP070AN06A0相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证