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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDP070AN06A0
FDP070AN06A0 PDF预览

FDP070AN06A0

更新时间： 2024-10-01 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
12页 591K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m

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FDP070AN06A0 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.32
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：190 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.007 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：175 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDP070AN06A0 数据手册

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March 2003  
FDB070AN06A0 / FDP070AN06A0  
®
N-Channel PowerTrench MOSFET  
60V, 80A, 7mΩ  
Features  
Applications  
•
rDS(ON) = 6.1mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A  
•
•
•
•
•
•
•
Motor / Body Load Control  
•
Qg(tot) = 51nC (Typ.), VGS = 10V  
ABS Systems  
• Low Miller Charge  
Powertrain Management  
Injection Systems  
•
•
•
Low QRR Body Diode  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
DC-DC converters and Off-line UPS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 12V and 24V systems  
Formerly developmental type 82567  
D
DRAIN  
(FLANGE)  
GATE  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
G
DRAIN  
SOURCE  
TO-263AB  
FDB SERIES  
(FLANGE)  
TO-220AB  
FDP SERIES  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
60  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
20  
Continuous (TC < 97oC, VGS = 10V)  
Continuous (TA = 25oC, VGS = 10V, RθJA = 43oC/W)  
Pulsed  
80  
A
ID  
15  
Figure 4  
190  
A
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
mJ  
Power dissipation  
Derate above 25oC  
175  
W
PD  
1.17  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-220,TO-263  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220,TO-263 (Note 2)  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in2 copper pad area  
0.86  
62  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
43  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a  
copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems  
certification.  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB070AN06A0 / FDP070AN06A0 Rev. B  
1234567...12

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与FDP070AN06A0相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP075N15A FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 130A, 7.
FDP075N15A_F102 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
FDP075N15A-F102 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，130A，7.5mΩ
FDP083N15A FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 105A, 8.
FDP083N15A-F102 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，117A，8.3mΩ
FDP085N10A FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 96A, 8.5
FDP085N10A_F102 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 100V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FDP085N10AF102 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 96 A, 8
FDP085N10A-F102 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 96 A, 8
FDP085N10A-F102 ONSEMI

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 		N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，96A，8.5mΩ

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