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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 3.94 |
| 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 1153 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 144 A | 最大漏极电流 (ID)： | 120 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0055 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 263 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 576 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP054N10_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 144A, 5. |
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| FDP060AN08A0 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0mз |
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| FDP060AN08A0 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，75V，80A，6mΩ |
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| FDP060AN08A0-F102 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| FDP070AN06A0 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m |
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| FDP070AN06A0 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60 V、80 A、7 mΩ |
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| FDP075N15A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 130A, 7. |
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| FDP075N15A_F102 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| FDP075N15A-F102 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，130A，7.5mΩ |
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| FDP083N15A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 105A, 8. |
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