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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 3.81 |
| 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 1153 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 164 A | 最大漏极电流 (ID)： | 120 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0047 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 375 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 656 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDP047N08 | FAIRCHILD |
类似代替  |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 75V, 164A, 4.7m |
|
| IPP041N12N3GXKSA1 | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 120V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IRFB4110PBF | INFINEON |
功能相似 |
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP047N10_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 164A, 4. |
|
| FDP050AN06A0 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDP050AN06A0 | ROCHESTER |
获取价格 |
18A, 60V, 0.005ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN |
|
| FDP050AN06A0 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，80A，5mΩ |
|
| FDP050AN06A0_NL | ROCHESTER |
获取价格 |
18A, 60V, 0.005ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN |
|
| FDP053N08B | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 120A, 5.3 |
|
| FDP053N08B-F102 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，120A，5.3mΩ |
|
| FDP054N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 144A, 5.5 |
|
| FDP054N10 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，144A，5.5mΩ |
|
| FDP054N10_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 144A, 5. |
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