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FDP047AN08A0-F102

更新时间： 2024-11-24 11:15:07

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		/
页数	文件大小	规格书
15页	779K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，75V，80A，4.7mΩ

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DATA SHEET

www.onsemi.com

MOSFET – N-Channel,

POWERTRENCH⁾

MAX

I MAX

DSS

DS(ON)

75 V

4.7 mW

80 A

75 V, 80 A, 4.7 mW

FDH047AN08A0,

FDP047AN08A0

Features

 R

 Q

= 4.0 mW (Typ.), V = 10 V, I = 80 A

GS D

DS(ON)

g(TOT)

= 92 nC (Typ.), V = 10 V

TO−247−3

CASE 340CK

 Low Miller Charge

 Low Q Body Diode

 UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

 This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant

TO−220−3

CASE 340AT

Applications

 Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU

 Battery Protection Circuit

 Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies

MARKING DIAGRAM

&Z&3&K

FDX047AN

08A0

= Assembly Plant Code

= Data Code (Year & Week)

= Lot

FDX047AN08A0

= Specific Device Code

= H/P

ORDERING INFORMATION

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this data sheet.

 Semiconductor Components Industries, LLC, 2003

Publication Order Number:

April, 2023 − Rev. 5

FDH047AN08A0/D

12 3 4 5 6 7...15

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