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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDP047AN08A0_NL
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FDP047AN08A0_NL

更新时间： 2024-11-23 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
10页 241K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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FDP047AN08A0_NL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.43雪崩能效等级（Eas）：475 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.0047 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：310 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDP047AN08A0_NL 数据手册

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April 2002  
FDP047AN08A0  
N-Channel UltraFET® Trench MOSFET  
75V, 80A, 4.7mΩ  
Features  
Applications  
•
•
•
•
•
•
rDS(ON) = 4.0mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A  
Qg(tot) = 92nC (Typ.), VGS = 10V  
Low Miller Charge  
•
•
•
•
•
•
•
42V Automotive Load Control  
Starter / Alternator Systems  
Electronic Power Steering Systems  
Electronic Valve Train Systems  
Low Qrr Body Diode  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
DC-DC converters and Off-line UPS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 24V and 48V systems  
Formerly developmental type 82684  
D
DRAIN  
(FLANGE)  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
G
TO-220AB  
FDP SERIES  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
75  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
±20  
Continuous (TC < 144oC, VGS = 10V)  
Continuous (TC = 25oC, VGS = 10V, with RθJA = 62oC/W)  
Pulsed  
80  
A
ID  
15  
Figure 4  
600  
A
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
mJ  
Power dissipation  
Derate above 25oC  
310  
W
PD  
2.0  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-220  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220 (Note 2)  
0.48  
62  
oC/W  
oC/W  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a  
copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems  
certification.  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP047AN08A0 Rev. A  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，75V，80A，4.7mΩ
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FDP050AN06A0 ROCHESTER

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 		18A, 60V, 0.005ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
FDP050AN06A0 ONSEMI

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