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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CZT3055
CZT3055 PDF预览

CZT3055

更新时间： 2024-09-12 22:28:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 76K
描述
2.0W SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR

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CZT3055 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：POWER 223, PLASTIC PACKAGE-4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.26外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：2.5 MHz

CZT3055 数据手册

 浏览型号CZT3055的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CZT2955 PNP  
CZT3055 NPN  
Central  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT2955  
and CZT3055 types are surface mount epoxy  
molded complementary silicon transistors  
manufactured by the epitaxial base process,  
designed for surface mounted power amplifier  
applications up to 6.0 amps.  
Semiconductor Corp.  
2.0W SURFACE MOUNT  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTOR  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
SOT-223 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
V
100  
70  
V
V
V
V
A
A
W
CBO  
CER  
CEO  
EBO  
60  
7.0  
6.0  
3.0  
2.0  
I
C
Base Current  
I
B
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
stg  
-65 to +150  
62.5  
°C  
J
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
µA  
mA  
mA  
V
I
I
I
V
V
V
=30V  
700  
1.0  
5.0  
CEO  
CEV  
EBO  
CE  
CE  
EB  
=100V, V =1.5V  
EB  
=7.0V  
BV  
BV  
* V  
* V  
I =30mA, R =100Ω  
BE  
70  
60  
CER  
CEO  
C
I =30mA  
V
C
I =4.0A, I =400mA  
1.1  
1.5  
70  
V
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
V
=4.0V, I =4.0A  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
C
* h  
* h  
V
V
V
=4.0V, I =4.0A  
20  
5.0  
2.5  
C
=4.0V, I =6.0A  
FE  
C
f
=10V, I =500mA, f=1.0MHz  
MHz  
T
C
* Pulsed, 2% D.C.  
R3 (17-June 2004)  
12

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CZT3055 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CZT3055LEADFREE CENTRAL

功能相似

 Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
CZT3055BKLEADFREE CENTRAL

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CZT3055BK CENTRAL

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CZT3055BK CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
CZT3055BKLEADFREE CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
CZT3055LEADFREE CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
CZT3055NPN CENTRAL

获取价格

 		2.0W SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR
CZT3055TR CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
CZT3055TR13 CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
CZT3055TR13PBFREE CENTRAL

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 		Transistor,
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 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
CZT3090L CENTRAL

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CZT3090L_10 CENTRAL

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