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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.11 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 2.5 MHz | VCEsat-Max： | 1.1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CZT3055TR13 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| CZT3055TR13PBFREE | CENTRAL |
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Transistor, |
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| CZT3055TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| CZT3090L | CENTRAL |
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SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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| CZT3090L_10 | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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| CZT3090LBK | CENTRAL |
获取价格 |
Transistor |
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| CZT3090LE | CENTRAL |
获取价格 |
ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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| CZT3090LETR | CENTRAL |
获取价格 |
Transistor |
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| CZT3090LETRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Transistor |
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| CZT3090LTR | CENTRAL |
获取价格 |
Transistor |
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