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CZT3150 PDF预览

CZT3150

更新时间： 2024-11-01 03:27:51
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 76K
描述
SURFACE MOUNT NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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CZT3150 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.24Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

CZT3150 数据手册

 浏览型号CZT3150的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CZT3150  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON POWER TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT3150  
type is  
a NPN Silicon Power Transistor  
manufactured by the epitaxial planar process,  
epoxy molded in a surface mount package,  
designed for high current, high gain, fast  
switching applications.  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
SOT-223 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Base Current  
Power Dissipation  
V
V
V
50  
25  
7.0  
5.0  
1.0  
2.0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
A
A
W
I
I
P
C
B
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T ,T  
stg  
-65 to +150  
62.5  
°C  
°C/W  
J
Thermal Resistance  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
1.0  
UNITS  
I
I
V
V
=50V  
µA  
µA  
V
CBO  
EBO  
CB  
EB  
=7.0V  
1.0  
BV  
I =10mA  
25  
CEO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
V
V
V
V
I =3.0A, I =150mA  
0.35  
0.50  
1.10  
1.40  
550  
V
C
B
I =4.0A, I =200mA  
V
C
B
I =3.0A, I =150mA  
V
C
B
I =4.0A, I =200mA  
V
C
B
h
h
h
V
=2.0V, I =500mA  
250  
150  
50  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
V
V
V
V
=2.0V, I =2.0A  
C
=2.0V, I =5.0A  
FE  
FE  
C
f
=6.0V, I =50mA, f=200MHz  
150  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
50  
ob  
E
R4 (17-June 2004)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CZT3150_10 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT NPN SILICON POWER TRANSISTOR
CZT3150BK CENTRAL

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CZT3150BKLEADFREE CENTRAL

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 		Transistor,
CZT3150LEADFREE CENTRAL

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