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CZT31C PDF预览

CZT31C

更新时间： 2024-11-04 22:28:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 105K
描述
2.0W COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR

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CZT31C 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.1外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

CZT31C 数据手册

 浏览型号CZT31C的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Ce n t r a l  
NEW  
CZT31C NPN  
CZT32C PNP  
S e m ic o n d u c t o r Co r p .  
2.0W COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT31C  
and CZT32C types are surface mount epoxy  
molded complementary silicon transistors  
manufactured by the epitaxial base process,  
designedforsurfacemountedpoweramplifier  
applications up to 3.0 amps.  
POWER TM  
223  
SOT-223 CASE  
o
MAXIMUM RATINGS: (T =25 C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
I
100  
100  
5.0  
3.0  
6.0  
1.0  
2.0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
A
C
Peak Collector Current  
Base Current  
I
A
CM  
I
A
B
Power Dissipation  
P
W
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
62.5  
C
o
Θ
C/W  
JA  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25 C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
200  
300  
1.0  
UNITS  
µA  
µA  
mA  
V
I
V
V
V
=100V  
=60V  
CES  
CE  
CE  
EB  
I
CEO  
I
=5.0V  
EBO  
BV  
I =30mA  
100  
CEO  
C
* V  
I =3.0A, I =375mA  
1.2  
1.8  
V
CE(SAT)  
C
B
* V  
* h  
V
=4.0V, I =3.0A  
V
BE(ON)  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
=4.0V, I =1.0A  
C
25  
10  
FE  
FE  
* h  
=4.0V, I =3.0A  
100  
C
f
=10V, I =500mA, f=1.0MHz  
C
3.0  
MHz  
T
* Pulsed, 2%D.C.  
294  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CZT31CBKLEADFREE CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
CZT31CLEADFREE CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
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 		SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

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