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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CZT3906LEADFREE
CZT3906LEADFREE PDF预览

CZT3906LEADFREE

更新时间： 2024-11-06 12:59:19
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 97K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, PLASTIC PACKAGE-4

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CZT3906LEADFREE 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.1Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

CZT3906LEADFREE 数据手册

 浏览型号CZT3906LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CZT3904 NPN  
CZT3906 PNP  
Ce n t r a l  
S e m ic o n d u c t o r Co r p .  
COMPLEMENTARY  
DESCRIPTION:  
SILICON TRANSISTORS  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR  
CZT3904,CZT3906typesarecomplementary  
silicon transistors manufactured by the  
epitaxial planar process, epoxy molded in a  
surface mount package, designed for small  
signal general purpose and switching  
applications.  
SOT-223 CASE  
o
MAXIMUM RATINGS (T =25 C)  
A
SYMBOL  
CZT3904  
CZT3906  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
60  
40  
6.0  
40  
40  
5.0  
V
V
V
mA  
W
CBO  
CEO  
EBO  
I
P
200  
2.0  
C
Power Dissipation  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
T ,T  
-65 to +150  
62.5  
C
C/W  
J stg  
o
Θ
JA  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)  
A
CZT3904  
CZT3906  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=30V, V =3.0V  
MIN MAX  
MIN MAX  
UNITS  
nA  
V
I
V
50  
50  
CEV  
CE  
EB  
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
h
h
h
h
h
I =10µA  
60  
40  
6.0  
40  
40  
5.0  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
I =1.0mA  
V
V
V
V
V
V
C
I =10µA  
E
I =10mA, I =1.0mA  
0.20  
0.30  
0.25  
0.40  
C
C
B
B
B
B
I =50mA, I =5.0mA  
I =10mA, I =1.0mA  
0.65  
0.85  
0.95  
0.65  
0.85  
0.95  
C
I =50mA, I =5.0mA  
C
V
=1.0V, I =0.1mA  
40  
70  
60  
80  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
=1.0V, I =1.0mA  
C
FE  
FE  
FE  
=1.0V, I =10mA  
100  
60  
300  
100  
60  
300  
C
=1.0V, I =50mA  
C
=1.0V, I =100mA  
30  
30  
FE  
C
308  
12

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