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CZT5401

更新时间： 2024-01-02 05:45:20
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 512K
描述
Epitaxial Planar Transistor

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CZT5401 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.61
最大集电极电流 (IC)：0.6 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：60最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.002 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

CZT5401 数据手册

 浏览型号CZT5401的Datasheet PDF文件第2页 
CZT5401  
PNP Transistor  
Elektronische Bauelemente  
Epitaxial Planar Transistor  
RoHS Compliant Product  
SOT-223  
Description  
The CZT5401 is designed for general  
purpose applications requiring high  
breakdown voltages.  
REF.  
REF.  
Min.  
6.70  
2.90  
0.02  
0̓  
Max.  
7.30  
3.10  
0.10  
10̓  
Min.  
13̓TYP.  
2.30 REF.  
Max.  
A
C
D
E
I
B
J
5 4 0 1  
1
2
3
4
5
6.30  
6.70  
6.70  
3.70  
3.70  
1.80  
Date Code  
6.30  
3.30  
3.30  
1.40  
0.60  
0.25  
0.80  
0.35  
B
C
E
H
MAXIMUM RATINGS* (Tamb =25oC, unless otherwise specified)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Collector-Base Voltage  
-160  
-150  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
-5  
mA  
-600  
IC  
Collector Current-Continuous  
Total Power Dissipation  
W
1.5  
PD  
O
Storage Temperature  
-55~-150  
Junction and  
C
TJ,  
Tstg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb=25oC unlessotherwise specified  
Parameter  
Test conditions  
Symbol  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
V
_
_
_
_
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Ic=-100uA,IE=0  
IC= -1mA,IB=0  
IE= -10uA,IC=0  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
-160  
-150  
V
_
_
_
-5  
_
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V(BR)EBO  
ICBO  
V
nA  
V
CB= -120V,IE=0  
EB=-3V,IC=0  
VCE= -5V, IC= -1mA  
CE=-5V, IC= -10mA  
-50  
_
_
_
-50  
_
nA  
_
IEBO  
V
Emitter cut-off current  
hFE  
hFE  
hFE  
1
2
3
50  
80  
DC current gain  
_
_
160  
_
V
400  
_
50  
_
VCE= -5V, IC= -50mA  
IC=-10mA,IB= -1mA  
IC=-50mA,IB= -5mA  
IC=-10mA,IB= -1mA  
50mA,  
_
_
_
_
VCE(sat)1  
VCE(sat)2  
VBE(sat)1  
VBE(sat)2  
-200  
-500  
-1  
mV  
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
_
_
_
IC=-  
IB= -5mA  
-1  
VCE=-10V,IC=-10mA,  
f = 100MHz  
_
_
f
T
Transition frequency  
100  
_
300  
6
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
V
CB=-10V, f=1MHz,IE=0  
CLASSIFICATION OF hFE  
Rank  
A
N
C
Range  
80-200  
100-240  
160-400  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
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12

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