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CZT5551ETRLEADFREE

更新时间： 2024-09-24 13:07:15
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 96K
描述
Transistor

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CZT5551ETRLEADFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61最大集电极电流 (IC)：0.6 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：120
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：2 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

CZT5551ETRLEADFREE 数据手册

 浏览型号CZT5551ETRLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Ce n t r a l  
CZT5551  
S e m ic o n d u c t o r Co r p .  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT5551  
typeisanNPNsilicontransistormanufactured  
by the epitaxial planar process, epoxy molded  
inasurfacemountpackage, designedforhigh  
voltage amplifier applications.  
SOT-223 CASE  
o
MAXIMUM RATINGS (T =25 C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
180  
160  
6.0  
600  
2.0  
V
V
V
mA  
W
CBO  
CEO  
EBO  
I
P
C
Power Dissipation  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
o
T ,T  
-65 to +150  
62.5  
C
C/W  
J stg  
Θ
JA  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
50  
50  
UNITS  
I
I
I
V
V
V
=120V  
=120V, T =100 C  
=4.0V  
nA  
µA  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
CBO  
CBO  
EBO  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
CB  
CB  
EB  
o
A
50  
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
h
I =100µA  
180  
160  
6.0  
C
I =1.0mA  
C
I =10µA  
E
I =10mA, I =1.0mA  
0.15  
0.20  
1.00  
1.00  
C
B
B
B
B
I =50mA, I =5.0mA  
C
I =10mA, I =1.0mA  
C
I =50mA, I =5.0mA  
C
V
=5.0V, I =1.0mA  
80  
80  
30  
CE  
CE  
CE  
C
h
h
V
V
=5.0V, I =10mA  
C
250  
FE  
=5.0V, I =50mA  
FE  
C
316  
12

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