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CZT5551 PDF预览

CZT5551

更新时间： 2024-01-15 12:27:02
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 559K
描述
Epitaxial Planar Transistor

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CZT5551 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.27
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.6 A
基于收集器的最大容量：6 pF集电极-发射极最大电压：160 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.2 V

CZT5551 数据手册

 浏览型号CZT5551的Datasheet PDF文件第2页 
CZT5551  
NPN Transistor  
Elektronische Bauelemente  
Epitaxial Planar Transistor  
RoHS Compliant Product  
SOT-223  
Description  
The CZT5551 is designed for general  
purpose applications requiring high  
breakdown voltages.  
REF.  
REF.  
Min.  
6.70  
2.90  
0.02  
0̓  
Max.  
7.30  
3.10  
0.10  
10̓  
Min.  
13̓TYP.  
2.30 REF.  
Max.  
A
C
D
E
I
B
J
5 5 5 1  
1
2
3
4
5
6.30  
6.70  
6.70  
3.70  
3.70  
1.80  
Date Code  
6.30  
3.30  
3.30  
1.40  
0.60  
0.25  
0.80  
0.35  
B
C
E
H
MAXIMUM RATINGS* (Tamb =25oC, unless otherwise specified)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Collector-Base Voltage  
180  
160  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
6
mA  
600  
IC  
Collector Current-Continuous  
Total Power Dissipation  
W
1.5  
PD  
O
Storage Temperature  
-55~-150  
Junction and  
C
TJ,  
Tstg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb=25oC unlessotherwise specified  
Parameter  
Test conditions  
Symbol  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
V
_
_
_
_
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Ic= 100uA,IE=0  
IC= 1mA,IB=0  
IE= 10uA,IC=0  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
180  
160  
V
_
_
_
6
_
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V(BR)EBO  
ICBO  
V
nA  
V
CB= 120V,IE=0  
EB= 4V,IC=0  
VCE= 5V, IC= 1mA  
CE= 5V, IC= 10mA  
50  
_
_
_
50  
_
nA  
_
IEBO  
V
Emitter cut-off current  
hFE  
hFE  
hFE  
1
2
3
80  
80  
DC current gain  
_
_
160  
_
V
400  
_
50  
_
VCE= 5V, IC= 50mA  
IC= 10mA,IB= 1mA  
IC= 50mA,IB= 5mA  
IC= 10mA,IB= 1mA  
50mA,  
_
_
_
_
VCE(sat)1  
VCE(sat)2  
VBE(sat)1  
VBE(sat)2  
0.15  
0.2  
1
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
_
_
_
IC=  
IB= 5mA  
1
VCE= 10V,IC= 10mA,  
f = 100MHz  
_
_
f
T
Transition frequency  
100  
_
300  
6
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
V
CB= 10V, f=1MHz,IE=0  
CLASSIFICATION OF hFE  
Rank  
A
N
C
Range  
80-200  
100-240  
160-400  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2004 Rev. B  
Page 1 of 2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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