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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CZT7090LE
CZT7090LE PDF预览

CZT7090LE

更新时间： 2024-02-19 13:49:30
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 537K
描述
ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) PNP SILICON POWER TRANSISTOR

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CZT7090LE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.61
最大集电极电流 (IC)：3 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：200最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：2 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

CZT7090LE 数据手册

 浏览型号CZT7090LE的Datasheet PDF文件第2页 
CZT7090LE  
ENHANCED SPECIFICATION  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT7090LE is an  
Enhanced Specification Low V PNP Silicon  
LOW V  
PNP  
CE(SAT)  
SILICON POWER TRANSISTOR  
CE(SAT)  
Power Transistor packaged in an industry standard  
SOT-223 case. High Collector Current, coupled with a  
Low Saturation Voltage, make this an excellent choice  
for industrial and consumer applications where electrical  
and thermal operational efficiency are top priorities.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
FEATURES:  
SOT-223 CASE  
APPLICATIONS:  
• Low V  
PNP Transistor  
CE(SAT)  
• High Current (I =3.0A MAX)  
C
• Power Management / DC-DC Converters  
• Portable and Battery Powered Products  
• LAN Equipment / Motor Controllers  
• V  
=0.132V TYP @ I =2.0A  
CE(SAT) C  
• SOT-223 Surface Mount Package  
• Complementary NPN device: CZT3090LE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
V
A
A
W
°C  
°C/W  
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
V
V
V
60  
50  
6.0  
3.0  
5.0  
♦
♦
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
I
CM  
P
T
2.0  
D
T
-65 to +150  
62.5  
J, stg  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
A
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
nA  
µA  
nA  
V
V
V
mV  
mV  
mV  
V
♦SI YMBOL  
V
V
V
=50V  
=50V, T =100°C  
=5.0V  
50  
10  
50  
CBO  
CBO  
CB  
CB  
EB  
I
A
I
♦
EBO  
♦BV  
I =100μA  
60  
50  
6.0  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
FE  
FE  
FE  
FE  
C
BV  
I =10mA  
C
♦
BV  
V
I =100μA  
E
♦
I =500mA, I =5.0mA  
76  
124  
132  
0.888  
363  
314  
281  
228  
177  
175  
250  
300  
1.0  
♦
C
B
♦V  
I =1.0A, I =10mA  
C B  
♦
V
I =2.0A, I =50mA  
C B  
V
h
h
I =2.0A, I =100mA  
C B  
V
=2.0V, I =10mA  
300  
250  
250  
150  
100  
800  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CE  
C
V
V
V
V
V
V
=2.0V, I =500mA  
C
♦h  
=2.0V, I =1.0A  
C
h
=2.0V, I =2.0A  
C
h
C
f
=2.0V, I =3.0A  
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
=5.0V, I =50mA, f=50MHz  
35  
pF  
MHz  
ob  
E
C
100  
T
♦ Enhanced specification  
R1 (1-March 2010)  
12

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