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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.06 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 基于收集器的最大容量： | 6 pF | 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CZT5551E | CENTRAL |
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ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR |
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| CZT5551ETRLEADFREE | CENTRAL |
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Transistor |
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| CZT5551HC | CENTRAL |
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SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON NPN TRANSISTOR |
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| CZT5551HC_10 | CENTRAL |
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SURFACE MOUNT HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR |
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| CZT5551HCBK | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| CZT5551HCBKLEADFREE | CENTRAL |
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Transistor |
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| CZT5551HCBKPBFREE | CENTRAL |
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Transistor, |
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| CZT5551HCLEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| CZT5551HCTR | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| CZT5551HCTRLEADFREE | CENTRAL |
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Transistor |
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