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CZT5551HCTR PDF预览

CZT5551HCTR

更新时间： 2024-09-24 20:08:27
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 528K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, PLASTIC PACKAGE-4

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CZT5551HCTR 技术参数

生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.1外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：160 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

CZT5551HCTR 数据手册

 浏览型号CZT5551HCTR的Datasheet PDF文件第2页 
CZT5551HC  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
HIGH CURRENT  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551HC type  
is a high current NPN silicon transistor manufactured  
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a  
surface mount package, designed for high voltage and  
high current amplifier applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
SOT-223 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
180  
160  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
6.0  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
1.0  
A
C
P
2.0  
W
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T
T
-65 to +150  
62.5  
°C  
°C/W  
J, stg  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
nA  
µA  
nA  
V
I
I
I
V
V
V
=120V  
50  
50  
50  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
=120V, T =100°C  
A
=4.0V  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
180  
160  
6.0  
CBO  
CEO  
C
I =1.0mA  
V
C
I =10µA  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.15  
0.20  
1.00  
1.00  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
h
h
h
h
V
=5.0V, I =1.0mA  
80  
80  
30  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
V
V
V
V
V
=5.0V, I =10mA  
250  
FE  
C
=5.0V, I =50mA  
FE  
C
=10V, I =1.0A  
10  
FE  
C
f
=10V, I =10mA, f=100MHz  
100  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
15  
ob  
E
R1 (1-March 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CZT5551HCTRLEADFREE CENTRAL

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 		Transistor
CZT5551HCTRPBFREE CENTRAL

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CZT5551PBFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CZT5551TR CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
CZT651 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT NPN HIGH CURRENT SILICON TRANSISTOR
CZT651_10 CENTRAL

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CZT651BK CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
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