CZT651TR

更新时间： 2024-02-07 18:01:21

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CENTRAL		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	75K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, PLASTIC PACKAGE-4

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CZT651TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	2 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	40
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	75 MHz

CZT651TR 数据手册

Central

CZT651

Semiconductor Corp.

SURFACE MOUNT

NPN HIGH CURRENT

SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT651 type

is a NPN Silicon Transistor manufactured by the

epitaxial planar process, epoxy molded in a sur-

face mount package, designed for high current

applications

MARKING CODE: FULL PART NUMBER

SOT-223 CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)

UNITS

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

5.0

2.0

CBO

CEO

EBO

Power Dissipation

Operating and Storage

Junction Temperature

Thermal Resistance

T ,T

stg

-65 to +150

62.5

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

100

UNITS

=80V

=4.0V

CBO

EBO

CBO

CEO

I =100µA

5.0

I =10mA

I =10µA

EBO

I =1.0A, I =100mA

0.3

0.5

1.2

1.0

CE(SAT)

BE(SAT)

BE(ON)

I =2.0A, I =200mA

I =1.0A, I =100mA

=2.0V, I =1.0A

=2.0V, I =50mA

=2.0V, I =500mA

=2.0V, I =1.0A

=2.0V, I =2.0A

=5.0V, I =50mA, f=100MHz

MHz

R3 (17-June 2004)

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