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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.03 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 160 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CZT651 | CENTRAL |
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SURFACE MOUNT NPN HIGH CURRENT SILICON TRANSISTOR |
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| CZT651_10 | CENTRAL |
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SURFACE MOUNT HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR |
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| CZT651BK | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| CZT651BKPBFREE | CENTRAL |
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Transistor, |
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| CZT651LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| CZT651TR | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| CZT651TR13 | CENTRAL |
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Transistor |
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| CZT651TR13LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Transistor |
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| CZT651TRLEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| CZT7090L | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) PNP SILICON POWER TRANSISTO |
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