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CZT5401E PDF预览

CZT5401E

更新时间： 2024-09-24 03:27:51
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 152K
描述
ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR

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CZT5401E 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：PACKAGE-4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.71外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：220 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

CZT5401E 数据手册

 浏览型号CZT5401E的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CZT5401E  
Semiconductor Corp.  
ENHANCED SPECIFICATION  
SURFACE MOUNT  
PNP SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5401E  
is a PNP Silicon Transistor, packaged in an  
SOT-223 case, designed for general purpose  
amplifier applications requiring high breakdown  
voltage.  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
FEATURES:  
SOT-223 CASE  
• High Collector Breakdown Voltage 250V  
• Low Leakage Current 50nA Max  
• Low Saturation Voltage 150mV Max @ 50mA  
• Complementary Device CZT5551E  
• SOT-223 Surface Mount Package  
APPLICATIONS:  
• General purpose switching and amplification  
• Telephone applications  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
250  
220  
7.0  
V
♦
♦
♦
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
V
V
I
600  
2.0  
mA  
W
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J
-65 to +150  
62.5  
°C  
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
V
V
V
=120V  
50  
50  
50  
nA  
μA  
nA  
V
CBO  
CB  
CB  
EB  
I
=120V, T =100°C  
A
=3.0V  
CBO  
I
EBO  
BV  
I =100μA  
250  
220  
7.0  
♦
♦
CBO  
C
BV  
I =1.0mA  
V
CEO  
C
BV  
I =10μA  
V
♦
EBO  
E
V
I =10mA, I =1.0mA  
100  
150  
mV  
mV  
V
♦
CE(SAT)  
C
B
V
I =50mA, I =5.0mA  
♦
♦
CE(SAT)  
C B  
V
I =10mA, I =1.0mA  
1.00  
1.00  
BE(SAT)  
C
B
V
I =50mA, I =5.0mA  
V
BE(SAT)  
C
B
Enhanced Specification  
R0 (10-May 2006)  
12

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与CZT5401E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CZT5401E_10 CENTRAL

获取价格

 		ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
CZT5401EBK CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CZT5401ETR CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 220V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
CZT5401ETR13PBFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor,
CZT5401ETRLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor
CZT5401G CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
CZT5551 TYSEMI

获取价格

 		Absolute Maximum Ratings Ta = 25
CZT5551 CENTRAL

获取价格

 		NPN SILICON TRANSISTOR
CZT5551 SECOS

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 		Epitaxial Planar Transistor
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 		NPN Silicon Transistor

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