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CZT5401

更新时间： 2024-11-10 14:52:27

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
3页	604K
描述
SOT-223

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CZT5401 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	50	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

CZT5401 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-223

CZT5401 TRANSISTOR (PNP)

FEATURES

1. BASE



High Voltage

High Voltage Amplifier Application

2. COLLECTOR

3. EMITTER

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

-160

-150

-5

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

-600

Collector Power Dissipation

P_C

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Operation Junction and Storage Temperature Range

125

R_θJA

T_J,T_stg

℃/W

℃

-55~+150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_(BR)CBOI_C=-0.1mA,I_E=0

V_(BR)CEOI_C=-1mA,I_B=0

V_(BR)EBOI_E=-0.01mA,I_C=0

-160

-150

-5

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_CBO

I_EBO

V_CB=-120V,I_E=0

-50

V_EB=-3V,I_C=0

Emitter cut-off current

h_FE(1)

h_FE(2)

h_FE(3)

V_CE=-5V, I_C=-1mA

V_CE=-5V, I_C=-10mA

V_CE=-5V, I_C=-50mA

I_C=-10mA,I_B=-1mA

I_C=-50mA,I_B=-5mA

I_C=-10mA,I_B=-1mA

I_C=-50mA,I_B=-5mA

VCE=-10V,IC=-10mA, f=100MHz

V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

DC current gain

100

300

-0.2

-0.5

-1

V_CE(sat)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_BE(sat)

-1

f_T

100

300

MHz

Transition frequency

C_ob

Collector output capacitance

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.0

12 3

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