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CZT5338_10

更新时间： 2024-02-11 09:33:01
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CENTRAL 晶体晶体管
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2页 598K
描述
SURFACE MOUNT NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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CZT5338_10 数据手册

 浏览型号CZT5338_10的Datasheet PDF文件第2页 
CZT5338  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON  
POWER TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5338 type is  
an NPN silicon power transistor manufactured by the  
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface  
mount package, designed for applications requiring  
extremely high current amplification and switching  
capability.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
SOT-223 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
A
Collector-Base Voltage  
V
100  
100  
V
V
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
CEO  
V
6.0  
V
EBO  
Continuous Collector Current  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
I
5.0  
A
C
I
1.0  
A
B
P
D
2.0  
W
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T
T
-65 to +150  
62.5  
°C  
°C/W  
J, stg  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
µA  
µA  
µA  
V
I
V
V
V
=100V  
=90V  
10  
CBO  
CB  
CE  
BE  
I
100  
100  
CEO  
I
=6.0V  
EBO  
BV  
I =50mA  
C
100  
CEO  
V
I =2.0A, I =200mA  
0.7  
1.2  
1.2  
1.8  
V
CE(SAT)  
C
B
V
I =5.0A, I =500mA  
V
CE(SAT)  
C
B
V
I =2.0A, I =200mA  
V
BE(SAT)  
C
B
V
I =5.0A, I =500mA  
V
BE(SAT)  
C
B
h
V
=2.0V, I =500mA  
30  
30  
20  
30  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
C
h
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=2.0V, I =2.0A  
C
=2.0V, I =5.0A  
120  
FE  
h
FE  
C
f
=10V, I =500mA, f=10MHz  
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
MHz  
pF  
pF  
ns  
T
C
250  
1000  
100  
100  
2.0  
ob  
E
C
ib  
t
=2.0V, IC=0, f=1.0MHz  
=40V, V =3.0V, I =2.0A, I =200mA  
d
CC  
CC  
CC  
CC  
BE  
C
B1  
t
=40V, V =3.0V, I =2.0A, I =200mA  
ns  
r
BE B1  
C
t
=40V, I =2.0A, I =I =200mA  
µs  
s
C
B1 B2  
t
f
=40V, I =2.0A, I =I =200mA  
200  
ns  
C
B1 B2  
R5 (1-March 2010)  
12

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