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CZT5401

更新时间： 2024-02-10 07:27:47

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科信 - KEXIN		晶体晶体管
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1页	36K
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PNP Silicon Transistor

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CZT5401 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	60	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.002 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

CZT5401 数据手册

SMD Type

Transistors

PNP Silicon Transistor

CZT5401

SOT-223

Unit: mm

+0.2

3.50

-0.2

+0.2

6.50

-0.2

+0.2

0.90

-0.2

Features

+0.1

3.00

-0.1

+0.3

7.00

-0.3

1 Base

2 Collector

+0.1

0.70

-0.1

3 Emitter

2.9

4.6

4 Collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

160

Unit

150

Collector Current

600

Power Dissipation

P^D

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

T^J,Tstg

ÈJA

-65 to 150

62.5

Electrical Characteristics Ta = 25

Symbol

I^CBO

Testconditons

Min

Max

Unit

VCB=100V

ICBO

VCB=100V, TA=150

VEB=3.0V

I^EBO

B^VCBO

B^VCEO

B^VEBO

V^CE(SAT)

V^BE(SAT)

IC=100ìA

160

150

5.0

IC=1.0mA

IE=10ìA

IC=10mA, IB=1.0mA

IC=50mA, IB=5.0mA

IC=10mA, IB=1.0mA

IC=50mA, IB=5.0mA

V^CE=5.0V, IC=1.0mA

V^CE=5.0V, IC=10mA

V^CE=5.0V, IC=50mA

VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz

VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz

VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz

0.2

0.5

1.0

h^FE

240

f^T

100

300

6.0

MHz

C^ob

h^fe

200

VCE=5.0V, IC=200mA, RS=10

Ù,f=10Hz to 15.7kHz

N^F

8.0

www.kexin.com.cn

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