CZT5338

更新时间： 2024-02-18 03:53:08

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描述
NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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CZT5338 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.12	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	基于收集器的最大容量：	250 pF
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
最大关闭时间（toff）：	2200 ns	最大开启时间（吨）：	200 ns
VCEsat-Max：	1.2 V	Base Number Matches：	1

CZT5338 数据手册

Ce n t r a l

CZT5338

S e m ic o n d u c t o r Co r p .

NPN SILICON

POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT5338

type is an NPN silicon power transistor

manufactured by the epitaxial planar process,

epoxy molded in a surface mount package,

designed for applications requiring extremely

high current amplification and switching

capability.

POWER ^TM

223

SOT-223 CASE

MAXIMUM RATINGS (T =25 C)

SYMBOL

UNITS

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Base Current

Power Dissipation

100

6.0

5.0

1.0

2.0

CBO

CEO

EBO

Operating and Storage

Junction Temperature

Thermal Resistance

T ,T

J stg

-65 to +150

62.5

C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

100

UNITS

µA

=100V

=6.0V

=90V

CBO

EBO

CEO

CE(SAT)

BE(SAT)

I =50mA

100

I =2.0A, I =200mA

0.7

1.2

1.8

I =5.0A, I =500mA

I =2.0A, I =200mA

I =5.0A, I =500mA

=2.0V, I =500mA

=2.0V, I =2.0A

120

=2.0V, I =5.0A

312

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