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CZT4033 PDF预览

CZT4033

更新时间： 2024-01-28 06:22:08
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 95K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR

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CZT4033 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.12
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A基于收集器的最大容量：20 pF
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

CZT4033 数据手册

 浏览型号CZT4033的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Ce n t r a l  
CZT4033  
S e m ic o n d u c t o r Co r p .  
PNP SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR  
CZT4033 type is an PNP silicon transistor  
manufacturedbytheepitaxialplanarprocess,  
epoxy molded in a surface mount package,  
designed for high current general purpose  
amplifier applications.  
SOT-223 CASE  
o
MAXIMUM RATINGS (T =25 C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Collector Current (Peak)  
Power Dissipation  
V
V
V
80  
80  
5.0  
1.0  
1.5  
2.0  
V
V
V
A
A
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
I
CM  
P
W
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
T ,T  
-65 to +150  
62.5  
C
J stg  
o
Θ
C/W  
JA  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
50  
10  
UNITS  
I
I
V
V
=60V  
=5.0V  
nA  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
CBO  
EBO  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
FE  
FE  
FE  
T
CB  
EB  
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
h
h
h
h
f
C
C
I =10µA  
80  
80  
5.0  
C
I =10mA  
C
I =10µA  
E
I =150mA, I =15mA  
0.15  
0.50  
0.90  
1.10  
C
C
B
B
B
B
I =500mA, I =50mA  
I =150mA, I =15mA  
C
I =500mA, I =50mA  
C
V
=5.0V, I =0.1mA  
75  
100  
70  
25  
100  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
EB  
C
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =100mA  
C
300  
=5.0V, I =500mA  
C
=5.0V, I =1.0A  
C
=10V, I =50mA, f=1.0MHz  
MHz  
pF  
pF  
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
E
20  
110  
ob  
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
ib  
C
310  
12

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