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CZT3150BK

更新时间： 2024-11-05 19:41:39

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CENTRAL		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	596K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, PLASTIC PACKAGE-4

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CZT3150BK 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.26	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

CZT3150BK 数据手册

CZT3150

www.centralsemi.com

SURFACE MOUNT NPN

SILICON POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT3150 type is

a NPN Silicon Power Transistor manufactured by the

epitaxial planar process, epoxy molded in a surface

mount package, designed for high current, high gain,

fast switching applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

SOT-223 CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)

SYMBOL

UNITS

Collector-Base Voltage

CBO

CEO

EBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

7.0

Continuous Collector Current

Continuous Base Current

Power Dissipation

5.0

1.0

2.0

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

-65 to +150

62.5

°C

°C/W

J, stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNITS

=50V

1.0

µA

CBO

EBO

=7.0V

I =10mA

CEO

CE(SAT)

BE(SAT)

I =3.0A, I =150mA

0.5

0.6

I =4.0A, I =200mA

I =3.0A, I =150mA

1.10

1.40

550

I =4.0A, I =200mA

=2.0V, I =500mA

250

150

=2.0V, I =2.0A

=2.0V, I =5.0A

=6.0V, I =50mA, f=200MHz

150

MHz

=10V, I =0, f=1.0MHz

R6 (1-March 2010)

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