是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | PLASTIC PACKAGE-4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.75 |
风险等级: | 5.26 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 5 A | 集电极-发射极最大电压: | 25 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 50 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN (315) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 150 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CZT3150PBFREE | CENTRAL |
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暂无描述 | |
CZT3150TR | CENTRAL |
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暂无描述 | |
CZT3150TR13 | CENTRAL |
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Transistor | |
CZT3150TRLEADFREE | CENTRAL |
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Transistor | |
CZT31C | CENTRAL |
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2.0W COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR | |
CZT31C | CJ |
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SOT-223 | |
CZT31C | BL Galaxy Electrical |
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100V,3A,Medium Power NPN Bipolar Transistor | |
CZT31CBKLEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, | |
CZT31CLEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, | |
CZT31CTR | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |