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CZT3150LEADFREE PDF预览

CZT3150LEADFREE

更新时间： 2024-11-05 19:41:39
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 596K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, PLASTIC PACKAGE-4

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CZT3150LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.26外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

CZT3150LEADFREE 数据手册

 浏览型号CZT3150LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CZT3150  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT NPN  
SILICON POWER TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT3150 type is  
a NPN Silicon Power Transistor manufactured by the  
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface  
mount package, designed for high current, high gain,  
fast switching applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
SOT-223 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
50  
25  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
7.0  
V
Continuous Collector Current  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
I
5.0  
A
C
I
1.0  
A
B
P
2.0  
W
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T
T
-65 to +150  
62.5  
°C  
°C/W  
J, stg  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
I
V
V
=50V  
1.0  
1.0  
µA  
µA  
V
CBO  
EBO  
CB  
EB  
=7.0V  
BV  
I =10mA  
25  
CEO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
V
V
V
V
I =3.0A, I =150mA  
0.5  
0.6  
V
C
B
I =4.0A, I =200mA  
V
C
B
I =3.0A, I =150mA  
1.10  
1.40  
550  
V
C
B
I =4.0A, I =200mA  
V
C
B
h
h
h
V
=2.0V, I =500mA  
250  
150  
50  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
V
V
V
V
=2.0V, I =2.0A  
FE  
C
=2.0V, I =5.0A  
FE  
C
f
=6.0V, I =50mA, f=200MHz  
150  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
50  
ob  
E
R6 (1-March 2010)  
12

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