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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CZT3120LEADFREE
CZT3120LEADFREE PDF预览

CZT3120LEADFREE

更新时间： 2024-11-01 13:07:15
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体开关晶体管功率双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 76K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

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CZT3120LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-223
包装说明：SOT-223, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.28
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：70 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：8 MHzBase Number Matches：1

CZT3120LEADFREE 数据手册

 浏览型号CZT3120LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CZT3120  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON SWITCHING  
POWER TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The Central Semiconductor CZT3120 NPN  
Switching Power Transistor, manufactured by the  
epitaxial planar process, combines both power  
and high speed switching characteristics in a  
SOT-223 Surface Mount Package. Typical  
applications include drivers, DC-DC converters,  
and general fast switching applications.  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
SOT-223 CASE  
0
MAXIMUM RATINGS (T =25 C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
120  
70  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
7.0  
3.0  
2.0  
V
I
A
C
Power Dissipation  
P
W
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
0
T , T  
stg  
-65 to +150  
62.5  
C
J
0
Θ
C/W  
JA  
0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T =25 C)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
1.0  
UNITS  
I
I
V
V
=80V  
µA  
µA  
V
CBO  
EBO  
CB  
EB  
=5.0V  
1.0  
BV  
BV  
BV  
I =50µA  
120  
70  
160  
90  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
I =10mA  
V
C
I =50µA  
7.0  
15  
V
E
V
V
I =2.0A, I =200mA  
250  
0.95  
170  
165  
75  
500  
1.1  
mV  
V
C
B
I =2.0A, V =1.0V  
C
CE  
h
h
h
V
=5.0V, I =10mA  
100  
100  
40  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
=5.0V, I =500mA  
300  
FE  
C
=5.0V, I =3.0A  
FE  
C
f
=10V, I =500mA, f=1.0MHz  
8.0  
MHz  
T
C
R2 (17-June 2004)  
12

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