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CZT3055TRLEADFREE

更新时间: 2024-11-01 15:30:19
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 32K
描述
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,

CZT3055TRLEADFREE 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.11
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):6 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):5JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):2.5 MHzVCEsat-Max:1.1 V
Base Number Matches:1

CZT3055TRLEADFREE 数据手册

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