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CZT3055TR13PBFREE

更新时间： 2024-09-14 09:16:51

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Transistor,

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CZT3055TR13PBFREE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	2.5 MHz	Base Number Matches：	1

CZT3055TR13PBFREE 数据手册

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CZT2955 PNP

CZT3055 NPN

www.centralsemi.com

SURFACE MOUNT

COMPLEMENTARY

SILICON POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT2955 and

CZT3055 types are surface mount epoxy molded

complementary silicon transistors manufactured by the

epitaxial base process, designed for surface mounted

power amplifier applications up to 6.0 amps.

MARKING: FULL PART NUMBER

SOT-223 CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)

SYMBOL

UNITS

Collector-Base Voltage

100

CBO

CER

CEO

EBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

7.0

Continuous Collector Current

Continuous Base Current

Power Dissipation

6.0

3.0

2.0

°C

°C/W

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

-65 to +150

62.5

J, stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

700

1.0

UNITS

μA

=30V

CEO

CEV

EBO

=100V, V =1.5V

=7.0V

5.0

I =30mA, R =100Ω

CER

CEO

I =30mA

I =4.0A, I =400mA

1.1

1.5

CE(SAT)

BE(ON)

=4.0V, I =4.0A

5.0

2.5

=4.0V, I =6.0A

=10V, I =500mA, f=1.0MHz

MHz

R4 (1-March 2010)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CZT3055TRLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
CZT3090L	CENTRAL	获取价格	SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) NPN SILICON POWER TRANSISTOR
CZT3090L_10	CENTRAL	获取价格	SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) NPN SILICON POWER TRANSISTOR
CZT3090LBK	CENTRAL	获取价格	Transistor
CZT3090LE	CENTRAL	获取价格	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) NPN SILICON POWER TRANSISTOR
CZT3090LETR	CENTRAL	获取价格	Transistor
CZT3090LETRLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Transistor
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