5秒后页面跳转
BUZ78 PDF预览

BUZ78

更新时间: 2024-11-01 23:14:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 198K
描述
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

BUZ78 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.12
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):170 mJ
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):1.5 A最大漏极电流 (ID):1.5 A
最大漏源导通电阻:8 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):40 W最大脉冲漏极电流 (IDM):6 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BUZ78 数据手册

 浏览型号BUZ78的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BUZ78的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BUZ78的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BUZ78的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BUZ78的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BUZ78的Datasheet PDF文件第7页 
BUZ 78  
®
SIPMOS Power Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Avalanche-rated  
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
G
D
S
Type  
V
DS  
I
R
)
DS(on  
Package  
Ordering Code  
D
BUZ 78  
800 V  
1.5 A  
8 Ω  
TO-220 AB  
C67078-S1318-A2  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Continuous drain current  
I
I
I
A
D
T = 25 °C  
C
1.5  
Pulsed drain current  
Dpuls  
AR  
T = 25 °C  
C
6
Avalanche current,limited by T  
1.5  
5
jmax  
Avalanche energy,periodic limited by T  
Avalanche energy, single pulse  
E
mJ  
jmax  
AR  
AS  
E
I = 1.5 A, V = 50 V, R = 25 Ω  
D
DD  
GS  
L = 142 mH, T = 25 °C  
170  
j
±
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
P
20  
V
GS  
W
tot  
T = 25 °C  
C
40  
Operating temperature  
Storage temperature  
T
T
-55 ... + 150 °C  
-55 ... + 150  
j
stg  
Thermal resistance, chip case  
R
3.1  
K/W  
thJC  
thJA  
Thermal resistance, chip to ambient  
DIN humidity category, DIN 40 040  
IEC climatic category, DIN IEC 68-1  
R
75  
E
55 / 150 / 56  
Semiconductor Group  
1
07/96  

BUZ78 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFBE20 VISHAY

功能相似

Power MOSFET
IRFBE20PBF VISHAY

功能相似

Power MOSFET
STP2N80 STMICROELECTRONICS

功能相似

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

与BUZ78相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUZ78-E3044 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 800V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BUZ78-E3045 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 800V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BUZ78-E3046 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 800V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BUZ80 STMICROELECTRONICS

获取价格

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
BUZ80 INFINEON

获取价格

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
BUZ80 NJSEMI

获取价格

Trans MOSFET N-CH 800V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
BUZ80A INFINEON

获取价格

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)
BUZ80A STMICROELECTRONICS

获取价格

N - CHANNEL 800V - 2.5ohm - 3.8A - TO-220 FAST POWER MOS TRANSISTOR
BUZ80A NJSEMI

获取价格

Trans MOSFET N-CH 800V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
BUZ80AC67078-S1309-A3 INFINEON

获取价格

TRANSISTOR TO 220 MOSFET N KANAL