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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.3 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 410 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ81-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ83 | INFINEON |
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main ratings |
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| BUZ83A | INFINEON |
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main ratings |
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| BUZ84 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 800V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| BUZ84A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-204AA |
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| BUZ88 | INFINEON |
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main ratings |
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| BUZ88A | INFINEON |
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main ratings |
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| BUZ90 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ900 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 160V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| BUZ900CDP | ETC |
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TRANSISTOR AUDIO NF LEISTUNGS MOSFET |
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