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BUZ81-E3045

更新时间: 2024-11-02 21:03:07
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 156K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN

BUZ81-E3045 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.3
雪崩能效等级(Eas):410 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:800 V最大漏极电流 (ID):4 A
最大漏源导通电阻:2.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):16 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BUZ81-E3045 数据手册

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